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vlsi 2025 文章 最新資訊

時(shí)鐘域交叉與同步器(第一部分):亞穩(wěn)態(tài)建模

  • 在超大規(guī)模集成電路(VLSI)設(shè)計(jì)中,時(shí)鐘域交叉過程必然會出現(xiàn)亞穩(wěn)態(tài)現(xiàn)象。要實(shí)現(xiàn)魯棒且高可靠性的電路設(shè)計(jì),必須對亞穩(wěn)態(tài)進(jìn)行抑制。想要掌握亞穩(wěn)態(tài)的解決方法,以及如何設(shè)計(jì)滿足指標(biāo)要求的同步器,我們需要明確其產(chǎn)生原因、影響因素,以及降低其發(fā)生概率的方式。亞穩(wěn)態(tài)與觸發(fā)器同步器為了更深入理解時(shí)序元件進(jìn)入亞穩(wěn)態(tài)的過程,以及亞穩(wěn)態(tài)的消解時(shí)長,可參考圖 1。圖 1:典型的主從鎖存器觸發(fā)器電路圖 1 為典型的主從鎖存器觸發(fā)器電路,由主鎖存器和從鎖存器組成,每個(gè)鎖存器均包含兩個(gè)級聯(lián)的反相器。在正常且正確的工作狀態(tài)下,時(shí)鐘為低
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2025年MRAM全球創(chuàng)新論壇將展示MRAM技術(shù)創(chuàng)新、進(jìn)展及行業(yè)專家的研究成果

  • MRAM全球創(chuàng)新論壇是行業(yè)內(nèi)磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)技術(shù)的頂級平臺,匯聚了來自業(yè)界和學(xué)術(shù)界的頂尖磁學(xué)專家與研究人員,共同分享MRAM的最新進(jìn)展。今年已是第13屆,這一為期一天的年度會議將于2025年12月11日IEEE國際電子器件會議(IEDM)之后的第二天,上午8:45至下午6點(diǎn)在舊金山聯(lián)合廣場希爾頓酒店帝國宴會廳A/B舉行。2025年MRAM技術(shù)項(xiàng)目包括12場由全球頂尖MRAM專家邀請的演講,以及一個(gè)晚間小組討論。這些項(xiàng)目將聚焦于技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)、工具開發(fā)及其他探索性話題。MRAM技術(shù)是一種非
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分析師警告稱,人工智能數(shù)據(jù)中心建設(shè)將推動銅短缺——2035年需求僅能滿足70%,2025年預(yù)計(jì)缺口為304,000噸

  • 超大規(guī)模園區(qū)和電網(wǎng)擴(kuò)張帶來的創(chuàng)紀(jì)錄需求正與礦山產(chǎn)量放緩發(fā)生沖突。銅生產(chǎn)商和市場分析師開始描繪出一個(gè)供應(yīng)缺口,正值超大規(guī)模人工智能園區(qū)接近創(chuàng)紀(jì)錄的用電量之際。國際能源署最新的關(guān)鍵礦產(chǎn)展望顯示,現(xiàn)有和計(jì)劃中的銅礦僅滿足2035年預(yù)計(jì)需求的約70%。伍德·麥肯齊預(yù)計(jì)短缺將更早出現(xiàn),2025年精銅短缺預(yù)計(jì)為304,000噸,2026年缺口更大。這一趨勢與一波由人工智能驅(qū)動的電力基礎(chǔ)設(shè)施浪潮匯聚,將長期存在的工業(yè)金屬轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)據(jù)中心擴(kuò)展的實(shí)際瓶頸。據(jù)伍德·麥肯齊、查爾斯·庫珀在接受《金融時(shí)報(bào)》采訪時(shí)表示,建設(shè)數(shù)據(jù)中心
  • 關(guān)鍵字: AI 數(shù)據(jù)中心  銅資源短缺  2025 銅缺口  銅礦供應(yīng)緊  銅價(jià)上漲  

IEEE Wintechon 2025 通過數(shù)據(jù)、多樣性與協(xié)作驅(qū)動印度半導(dǎo)體未來

  • 第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日,召集了800多名女性工程師、技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖、學(xué)術(shù)界、學(xué)生和研究人員,主題為“以數(shù)據(jù)驅(qū)動的半導(dǎo)體創(chuàng)新改變未來”。今年,該會議由IEEE班加羅爾分會、IEEE計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)會班加羅爾分會和Women in Engineering AG班加羅爾分會聯(lián)合主辦,由三星半導(dǎo)體印度研究院(SSIR)主辦。IEEE班加羅爾分會主席Chandrakanta Kumar博士表示:“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導(dǎo)體創(chuàng)新引擎
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)  嵌入式系統(tǒng)  IEEE Wintechon 2025  3D IC 集成  

開放創(chuàng)芯,成就未來——ICCAD-Expo 2025成功舉辦!

  • 11月20日至21日,由成都高新發(fā)展股份有限公司、芯脈通會展策劃(上海)有限公司、成都市集成電路行業(yè)協(xié)會、重慶市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、成都國家芯火雙創(chuàng)基地共同主辦,成都海光集成電路設(shè)計(jì)有限公司、成都華微電子科技股份有限公司支持的“2025集成電路發(fā)展論壇(成渝)暨三十一屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會”(簡稱ICCAD-Expo 2025)在成都中國西部國際博覽城成功舉辦。本屆大會以“開放創(chuàng)芯,成就未來”為主題,創(chuàng)新設(shè)置了“1+10+1”系列活動架構(gòu),包括1場高峰論壇、10場專題論壇及1場產(chǎn)業(yè)展覽。活動聚焦行業(yè)前沿技術(shù)、
  • 關(guān)鍵字: ICCAD-Expo 2025  

實(shí)現(xiàn)高密度正面和背面晶圓連接的途徑

  • 晶圓到晶圓混合鍵合和背面技術(shù)的進(jìn)步將CMOS 2.0從概念變?yōu)楝F(xiàn)實(shí),為計(jì)算系統(tǒng)擴(kuò)展提供了更多選擇。在VLSI 2025 上,imec 研究人員展示了將晶圓間混合鍵合路線圖擴(kuò)展到250 nm 互連間距的可行性。他們還通過制造120 nm 間距的極小的貫穿介電通孔,在晶圓背面顯示出高度致密的連接。在晶圓兩側(cè)建立如此高密度連接的能力為開發(fā)基于CMOS 2.0 的計(jì)算系統(tǒng)架構(gòu)提供了一個(gè)里程碑,該架構(gòu)依賴于片上系統(tǒng)內(nèi)功能層的堆疊。基于CMOS 2.0 的系統(tǒng)還將利用包括供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)在內(nèi)的后端互連,其優(yōu)勢可
  • 關(guān)鍵字: 202510  晶圓連接  VLSI 2025  imec   

Pickering全球首款20kV可定制干簧繼電器亮相 SEMICON Taiwan 2025

  • 全球領(lǐng)先的高性能干簧繼電器制造商 Pickering Electronics 將在 SEMICON Taiwan 2025 展會上展示其全面的半導(dǎo)體測試?yán)^電器產(chǎn)品組合,其中包括全新推出的 600系列可定制高壓干簧繼電器。該系列產(chǎn)品可在開關(guān)觸點(diǎn)間實(shí)現(xiàn)高達(dá) 20kV 耐壓,開關(guān)到線圈之間實(shí)現(xiàn)高達(dá) 25kV 耐壓。觀眾可在臺北南港展覽館英國館 I3022/J3034 展位參觀,展會時(shí)間為2025年9月10日至12日。Pickering 的600系列干簧繼電器代表了高壓繼電器設(shè)計(jì)的一項(xiàng)重大創(chuàng)新。該系列產(chǎn)品可根據(jù)客
  • 關(guān)鍵字: Pickering  干簧繼電器  SEMICON Taiwan 2025  

SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術(shù)路線圖

  • SK海力士公司今天宣布,在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上,該公司提出了未來30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官(CTO)車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術(shù)創(chuàng)新:邁向可持續(xù)未來”的全體會議。首席技術(shù)官 Cha 在演講中解釋說,通過當(dāng)前的技術(shù)平臺擴(kuò)展來提高性能和容量變得越來越困難。“為了克服這些限制,SK海力士將在結(jié)構(gòu)、材料和組件方面進(jìn)行創(chuàng)新,將4F2 VG(垂直門)平臺和3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于10納米級或以下的技術(shù)。4F2 VG平臺是下一代
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  IEEE  VLSI 2025  DRAM  

直擊WRC 2025:具身智能“三駕馬車”讓AI x Robotics深度融合

  • 2025 世界機(jī)器人大會近日,2025年世界機(jī)器人大會在北京召開,匯聚了全球具身智能機(jī)器人領(lǐng)域的創(chuàng)新力量。本屆大會標(biāo)志著具身智能機(jī)器人從“技術(shù)演示”轉(zhuǎn)向“規(guī)模化落地”關(guān)鍵拐點(diǎn)。先進(jìn)大模型、豐富場景化應(yīng)用與協(xié)同共建生態(tài)三大要素協(xié)同發(fā)力,將在未來3–5年推動具身智能產(chǎn)業(yè)格局蓬勃發(fā)展。IDC 分析師親臨 2025 世界機(jī)器人大會現(xiàn)場,將用視頻的形式帶大家感受前沿動態(tài)。建議先觀看視頻獲取第一手現(xiàn)場信息,后面將與您分享更加深入的行業(yè)洞察。IDC分析師觀點(diǎn)模型牽引:大模型驅(qū)動系統(tǒng)化升級具身智能大模型正成為機(jī)器人系統(tǒng)化
  • 關(guān)鍵字: WRC 2025  具身智能  

國內(nèi)首個(gè)《汽車安全芯片應(yīng)用領(lǐng)域白皮書》首發(fā)ICDIA 2025 創(chuàng)芯展,現(xiàn)場掃碼免費(fèi)獲取!

  • 隨著汽車智能化、網(wǎng)聯(lián)化、電動化的加速演進(jìn),信息安全已成為汽車行業(yè)亟需應(yīng)對的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。黑客攻擊、數(shù)據(jù)泄露、遠(yuǎn)程控制失效等安全事件頻發(fā),推動汽車信息安全從“可選”升級為“必選”。作為保障車載系統(tǒng)安全的核心硬件,汽車安全芯片已然成為智能汽車的“安全底座”。然而,行業(yè)在安全芯片的技術(shù)路線選擇與驗(yàn)證方法方面尚未達(dá)成統(tǒng)一共識,不同應(yīng)用場景下的驗(yàn)證體系亦存在標(biāo)準(zhǔn)不統(tǒng)一等問題。為系統(tǒng)梳理汽車安全芯片主要應(yīng)用場景、技術(shù)需求及測試驗(yàn)證要求,為汽車行業(yè)提供一份完善的汽車安全芯片應(yīng)用領(lǐng)域指南,由中國汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)檢測認(rèn)證聯(lián)盟組織發(fā)
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斷供·破局·共生——ICDIA 2025議程全公布

  • 第五屆中國集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會暨IC應(yīng)用生態(tài)展ICDIA 2025議程、嘉賓全面揭曉!(文末查看議程) 掃碼報(bào)名參會  誰會來?  英特爾、西門子、Cadence、IBM、日月光、OMDIA、中科院、賽迪顧問、中興微、海光、華大九天、巨霖、芯原、安謀、摩爾線程等 另有 500+芯片設(shè)計(jì)企業(yè) 200+整機(jī)與終端應(yīng)用企業(yè) 150+AI與系統(tǒng)方案商 聊什么? EDA斷供國產(chǎn)替代、AI時(shí)代下的新機(jī)遇&nb
  • 關(guān)鍵字: ICDIA 2025  

英特爾、OMDIA、中科院領(lǐng)銜,500+芯片企業(yè)齊聚蘇州,提前鎖定2025半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo)!

  • 當(dāng)先進(jìn)制程逼近摩爾定律極值,當(dāng)千億級AI算力需求倒逼芯片架構(gòu)重構(gòu)——中國集成電路產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷最殘酷的“雙線戰(zhàn)爭”:向上突圍:EDA工具、IP核、異構(gòu)集成等關(guān)鍵技術(shù)命門 向下扎根:汽車、AI、IoT等萬億級場景的國產(chǎn)替代窗口期誰的機(jī)遇又是誰的挑戰(zhàn)?誰又在定義下一代集成電路的生死規(guī)則? 7月11-12日第五屆中國集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會暨IC應(yīng)用生態(tài)展(ICDIA 2025)邀您 于蘇州金雞湖國際會議中心共謀芯話,共建未來。 作為國內(nèi)罕有的 “政-企-研-資”四維協(xié)同平臺,本
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SID 2025:多樣化的Micro LED應(yīng)用點(diǎn)亮未來

  • 美國時(shí)間 2025 年 5 月 13 日,2025 年顯示周(SID 2025)在美國加州圣何塞麥肯內(nèi)利會議中心正式開幕。全球領(lǐng)先的顯示行業(yè)巨頭、尖端技術(shù)公司和創(chuàng)新初創(chuàng)公司齊聚一堂,展示最新一代的顯示解決方案和產(chǎn)品。其中,Micro LED 技術(shù)成為眾多顯示企業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。這些主要參與者不斷提升 Micro LED 技術(shù)的性能,將其應(yīng)用從中大型顯示器擴(kuò)展到汽車顯示器和近眼顯示器,突破了 Micro LED 技術(shù)所能實(shí)現(xiàn)的界限。Micro LED 商用和創(chuàng)新顯示應(yīng)用在 SID 2025 上,我們可以看到 M
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英特爾將在 2025 VLSI 研討會上詳解 18A 制程技術(shù)優(yōu)勢

  • 4 月 21 日消息,2025 年超大規(guī)模集成電路研討會(VLSI Symposium)定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行,這是半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級國際會議。VLSI 官方今日發(fā)布預(yù)覽文檔,簡要介紹了一系列將于 VLSI 研討會上公布的論文,例如 Intel 18A 工藝技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于 Intel 3 制程,Intel 18A 節(jié)點(diǎn)在性能、能耗及面積(PPA)指標(biāo)上均實(shí)現(xiàn)顯著提升,將為消費(fèi)級客戶端產(chǎn)品與數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來實(shí)質(zhì)性提升。英特爾聲稱,在相同電壓(1.1V)和復(fù)雜度條件下,I
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小米 YU7 確認(rèn)缺席 2025 上海國際車展

  • 4 月 16 日消息,2025上海國際車展將于 4 月 23 日開幕,小米汽車確認(rèn)參展,將帶來小米 SU7 Ultra、小米 SU7 全系產(chǎn)品。對于不少網(wǎng)友關(guān)心的 YU7 實(shí)車是否會露面,小米汽車副總裁李肖爽昨日給出回應(yīng),確認(rèn)YU7 不會參展。小米汽車在 2025 上海國際車展的展臺為6.2H 號館?6B02,緊挨電池供應(yīng)商寧德時(shí)代。根據(jù)小米汽車官方講解,小米第二款車型 YU7 中文命名為“小米御 7”,寓意“陸地戰(zhàn)車,御風(fēng)而行”。小米 YU7 目前已經(jīng)開始預(yù)熱,而這款車型的爆料及高清實(shí)車圖也早已在網(wǎng)上流
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